北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩導(dǎo)－李建軍 正文

　　導(dǎo)師簡介　

　　一、基本情況

　　 李建軍  男，1966年生于河北省宣化縣，副教授。2001年于北京工業(yè)大學(xué)獲博士學(xué)位。

　　二、主要研究方向：

　　1．III-V族半導(dǎo)體材料的MOCVD生長

　　2．半導(dǎo)體光電子器件的研究

　　3．半導(dǎo)體器件的計算機(jī)模擬

　　三、在研課題：

　　1．新型高亮度紅光發(fā)光二極管

　　2．新型雙波長可尋址隧道帶間級聯(lián)半導(dǎo)體激光器

　　3.多源高效共振腔發(fā)光二極管

　　四、科研成果

　　作為項目申請者和負(fù)責(zé)人，完成了北京市自然科學(xué)基金項目“多色發(fā)光管及多波長半導(dǎo)體激光器的研究”，利用隧道帶間級聯(lián)機(jī)理，制備出了同一管芯可以發(fā)出不同波長光的半導(dǎo)體激光器及發(fā)光管。作為主要成員，參加了多項國家及省部委項目，如國家自然科學(xué)基金項目“一種新型振蕩用雙向負(fù)阻器件的研究”、“納米硅薄膜應(yīng)用探索性研究”，“ 新型高效多色發(fā)光管及多波長半導(dǎo)體激光器的研究”，國防科工委項目“多晶硅發(fā)射極晶體管理論模型及計算機(jī)模擬”、“鍺硅合金異質(zhì)結(jié)晶體管研究”，國家973項目“信息功能材料相關(guān)基礎(chǔ)問題/帶間和帶內(nèi)量子級聯(lián)耦合光電子功能材料”等.在從事半導(dǎo)體材料的MOCVD生長等實驗的同時，還長期進(jìn)行半導(dǎo)體器件理論模擬工作，獨立開發(fā)了用于鍺硅HBT數(shù)值模擬的軟件GSHBT；為分析多模復(fù)折射率光波導(dǎo)的特性，創(chuàng)新提出了數(shù)值求解的RPS法，該方法具有簡單、求解速度快和結(jié)果精確的優(yōu)點。目前已在國內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文70余篇。

　　五、聯(lián)系方式

　　北京工業(yè)大學(xué)電控學(xué)院北京光電子技術(shù)實驗室

　　郵政編碼：100022

　　( E-mail: ，Tel:010-67392503轉(zhuǎn)813 

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