2021天津大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)研究生考試大綱 正文

一、考試的總體要求
本課程為本專業(yè)主干專業(yè)基礎(chǔ)課，要求考生掌握半導(dǎo)體物理的基本概念、p-n結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)、雙極晶體管、MOS晶體管等基本原理和應(yīng)用。 
二、考試的內(nèi)容及比例
（一）考試內(nèi)容要點： 第一部分：（50%）
1、半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)能級；
2、熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計分布，本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體和重摻雜效應(yīng)；
3、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性：載流子的漂移運動、遷移率、散射、強電場效應(yīng)、熱載流子的概念,
半導(dǎo)體電阻率與溫度、雜質(zhì)濃度的關(guān)系，體內(nèi)負微分電導(dǎo)；
4、非平衡載流子：非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、壽命、擴散長度、準(zhǔn)費米能級，愛因斯坦關(guān)系，一維穩(wěn)定擴散，光激發(fā)載流子衰減；
5、p-n結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)：平衡與非平衡p-n結(jié)特點及其能帶圖，pn結(jié)理想和非理想I-V特性，p-n
結(jié)電容概念與擊穿機制，p-n結(jié)隧道效應(yīng)、肖特基勢壘二極管；
6、MOS結(jié)構(gòu)表面電場效應(yīng)，理想與實際MOS結(jié)構(gòu)C-V特性，MOS系統(tǒng)的性質(zhì)（固定電荷、可動離子、界面態(tài)對C-V特性的影響），表面電場對p-n結(jié)特性的影響；
第二部分：（50%）
7、雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)、原理，少數(shù)子分布，低頻電流增益和非理想效應(yīng)；
8、雙極晶體管的等效電路模型、頻率特性和開關(guān)特性；
9、MOSFET的基本結(jié)構(gòu)、原理，閾值電壓，電流電壓關(guān)系，擊穿特性
10、MOSFET的小信號模型和頻率特性；
11、MOSFET的非理想特性：亞閾值特性、溝道長度調(diào)制效應(yīng)、短溝道效應(yīng)和；
12、結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和基本工作原理；
13、光器件與功率器件的原理、特點與應(yīng)用。
（二）比例：
兩部分考試內(nèi)容各占50%。三、試卷題型及比例
1、概念與問答題：40%；
2、論述題：30%；
3、計算與推導(dǎo)題：20%；
4、實驗與綜合題：10%。四、考試形式及時間
考試形式均為筆試?？荚嚂r間為3小時(滿分150)。五、參考書目
半導(dǎo)體物理學(xué)，（第七版），劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社。半導(dǎo)體物理與器件，（第四版），趙毅強、姚素英等譯，電子工業(yè)出版社。   晶體管原理與設(shè)計，陳星弼 張慶中等， 電子工業(yè)出版社。 

天津大學(xué)

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