浙江工業(yè)大學(xué)化學(xué)工程與材料學(xué)院導(dǎo)師：胡曉君 正文

　　姓名：胡曉君
　　學(xué)歷/職稱：教授
　　所在崗位：碩導(dǎo)
　　聯(lián)系方式：0571-88320392
　　研究領(lǐng)域：先進(jìn)薄膜材料（金剛石薄膜的制備、摻雜和光電性能）

　　教育經(jīng)歷：
　　1992/09～1996/07 大連鐵道學(xué)院材料科學(xué)與工程系獲學(xué)士學(xué)位
　　1996/09～1999/07 沈陽(yáng)農(nóng)業(yè)大學(xué)機(jī)械工程系獲碩士學(xué)位
　　1999/09～2004/01 上海交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院獲博士學(xué)位

　　工作簡(jiǎn)歷：
　　2004/05～2006/09 浙江工業(yè)大學(xué)化學(xué)工程與材料學(xué)院講師
　　2006/09～2011/09 浙江工業(yè)大學(xué)化學(xué)工程與材料學(xué)院副教授
　　2007/03～2008/09 香港城市大學(xué)博士后研究（Research Fellow）
　　2011/09~至今 浙江工業(yè)大學(xué)化學(xué)工程與材料學(xué)院教授

　　學(xué)校及社會(huì)兼職：
　　材料系實(shí)驗(yàn)室主任
　　中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)會(huì)員

　　教學(xué)工作：
　　長(zhǎng)期擔(dān)任本科生的重要專業(yè)基礎(chǔ)課《材料科學(xué)基礎(chǔ)》的主講教師，擔(dān)任《化學(xué)化工軟件》和《計(jì)算機(jī)在材料科學(xué)中的應(yīng)用》等課程的主講教師，取得了良好的教學(xué)效果。2006年獲得學(xué)院青年教師講課比賽一等獎(jiǎng)。
　　長(zhǎng)期主講研究生課程《金屬學(xué)原理》，根據(jù)研究生學(xué)習(xí)的特點(diǎn)，在課堂教學(xué)中，開(kāi)展討論式教學(xué)，將學(xué)科前沿研究進(jìn)展與教學(xué)內(nèi)容相聯(lián)系，將研究思路與教學(xué)內(nèi)容相聯(lián)系，將研究方法與教學(xué)內(nèi)容相聯(lián)系，在深化學(xué)生專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)的同時(shí)，對(duì)其研究思路和研究方法進(jìn)行引導(dǎo)，為研究生進(jìn)入課題研究奠定基礎(chǔ)。
　　指導(dǎo)學(xué)生開(kāi)展課外科技活動(dòng)，通過(guò)完成課外科技活動(dòng)項(xiàng)目，培養(yǎng)學(xué)生發(fā)現(xiàn)問(wèn)題、分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力；培養(yǎng)他們的書面和口頭表達(dá)能力。指導(dǎo)本科生申報(bào)和完成了國(guó)家級(jí)大學(xué)生創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)計(jì)劃項(xiàng)目、校級(jí)大學(xué)生創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)計(jì)劃項(xiàng)目和校運(yùn)河杯科技項(xiàng)目等。
　　為研究生培養(yǎng)搭建了良好的項(xiàng)目平臺(tái)和研究氛圍。對(duì)研究生嚴(yán)格要求，精心指導(dǎo)，致力于全面提高研究生的專業(yè)素質(zhì)和綜合能力，為高科技產(chǎn)業(yè)輸送人才。近年來(lái)培養(yǎng)的碩士生獲得省級(jí)優(yōu)秀畢業(yè)生、校級(jí)優(yōu)秀畢業(yè)生、校級(jí)優(yōu)秀碩士論文、校級(jí)運(yùn)河杯課外科技競(jìng)賽二等獎(jiǎng)等榮譽(yù)稱號(hào)。

　　承擔(dān)的科研項(xiàng)目：
　　2010.1-2012.12 國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目：磷離子注入制備高電導(dǎo)率n型納米金剛石薄膜的研究（項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，50972129，35萬(wàn)元）
　　2012.1-2013.12 國(guó)家自然科學(xué)基金委-中俄合作交流項(xiàng)目（NSFC-RFBR）：磷離子注入納米及微晶CVD金剛石薄膜的制備、微結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能研究（項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，51211120188，9 萬(wàn)元）
　　2007.01-2009.12 國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目：氧離子注入制備高質(zhì)量低電阻率n 型金剛石薄膜的研究（項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，50602039，24 萬(wàn)元，已結(jié)題）
　　2010.01-2012.12 浙江省錢江人才計(jì)劃項(xiàng)目：高催化活性納米硼摻雜金剛石薄膜電極的制備 （項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，2010R10026，10萬(wàn)元）
　　2010.01-2011.12 留學(xué)回國(guó)人員科技活動(dòng)項(xiàng)目擇優(yōu)資助：硼氧共摻雜n型金剛石薄膜的微結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能研究（項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，1萬(wàn)元）
　　2006.01～2007.12 浙江省教育廳資助項(xiàng)目“氧離子注入金剛石薄膜的電學(xué)性質(zhì)研究”（項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，D1015227，1.5 萬(wàn)元，已結(jié)題）
　　2013年入選浙江省中青年學(xué)術(shù)帶頭人。
　　2006 年12 月獲浙江省科協(xié)“育才工程”資助。
　　2005 年列入“浙江省151 人才工程”第三層次。
　　2004 年被評(píng)為浙江工業(yè)大學(xué)首批青年學(xué)術(shù)骨干。

　　主要論文目錄：
　　1．X.J. Hu*, X. H. Chen, and J. S. Ye, The roles of hydrogen in the diamond/amorphous carbon phase transitions of oxygen ion implanted ultrananocrystalline diamond films at different annealing temperatures, AIP Advances 2, 2012, 042109
　　2．X.J. Hu*, J. S. Ye, H. Hu, X. H. Chen, Y. G. Shen, Phosphorus ion implantation and annealing induced n-type conductivity and microstructure evolution in ultrananocrystalline diamond films, Appl. Phys. Lett. 99, 2011, 131902
　　3．X.J.Hu*, J.S. Ye, H.J. Liu, Y.G. Shen, X.H. Chen, H. Hu, n-type conductivity and phase transition in ultrananocrystalline diamond films by oxygen ion implantation and annealing, J. Appl. Phys. 109, 2011, 053524
　　4．X.J. Hu, Y.G. Shen, The roles of grain boundary and interfacial energies in the grain growth of nanocomposite films, Appl. Phys. Lett, 94, 2009, 093111 (IF: 3.977) (入選“The American Institute of Physics”和“The American Physical Society”聯(lián)合出版的雜志：Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, 19(11), 2009.)
　　5．X.J. Hu, Z.J. Liu, Y.G. Shen, Mechanisms of amorphous-phase-dependent grain growth in two-phase nanocomposite films: A Monte Carlo analysis, Appl. Phys. Lett, 92, 2008, 021910 (IF: 3.977) (入選“The American Institute of Physics”和“The American Physical Society”聯(lián)合出版的雜志：Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, 17(5), 2008.)
　　6．X.J. Hu, J.S. Ye, S. Mariazzi, R.S. Brusa, A Positron annihilation study on the defect properties of doped diamond films, Thin Solid Films, 516, 2008, 1699-1702 (IF: 1.666)
　　7．X.J. Hu, R.B. Li, H.S. Shen, Y.B. Dai, X.C. He, The electrical and structural properties of boron and phosphorus co-doped diamond films, Carbon, 42 (8-9), 2004, 1501-1506 (IF: 3.120)
　　8．X.J. Hu*, J.S. Ye, H.J. Liu, H. Hu, X.H. Chen, The influences of oxygen ion implantation on the structural and electrical properties of B-doped diamond films, Diamond and Related Materials, 20, 2011, 246-249
　　9．X.J. Hu, Y.G. Shen, X.P. Hao, B.Y. Wang, The structural properties of B-O codoped diamond films, Diamond & Related Materials, 18, 2009, 210 (IF:1.788)
　　10．X.J. Hu, Y.H. Lu, Y.G. Shen, The grain size distribution in nanocomposite films, Solid State Communications, 149, 2009, 903. (IF:1.66)
　　11．X.J. Hu, J.S. Ye, Q.S. Lu, G.Q. Zheng The structural properties of O and B-O ion implanted diamond films, The society of photo-optical instrumentation engineering (SPIE), 6984, 2008, 69840Q （ISTP）
　　12．X.J. Hu, J.S. Ye, G.Q. Zheng, H.Z. Cao, H.C. Tan, The influences of oxygen ion implantation on the electrical and structural properties of diamond films, Chinese Physics 15(9), 2006, 2170-2174, (IF:1.497)
　　13．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, X.C. He, A molecular dynamics simulation on the structural properties of Band N co-existed in diamond, Physica B, 367, 2005, 86-91 (IF:0.908)
　　14．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, X.C. He, Molecular dynamics simulation on boron diffusion in diamond, Solid State Communications,132(8), 557-560, 2004 (IF:1.602)
　　15．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, Z.M. Zhang, R.B. Li, X.C. He, A molecular dynamics study of interstitial boron in diamond, Physica B, 327, 2003, 39-42 (IF: 0.908)
　　16．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, Z.M. Zhang, R.B. Li, X.C. He, The diffusion of vacancy near a diamond (001) surface, Solid State Communications, 122, 2002, 45-48 (IF: 1.602)

　　專利：
　　1．胡曉君，一種n型納米金剛石薄膜及制備方法，中華人民共和國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局，申請(qǐng)?zhí)枺篫L200910155306.3，中國(guó)，2009/12/16.已授權(quán)。
　　2．胡曉君*，劉會(huì)君，一種硼摻雜納米金剛石薄膜及制備方法，專利申請(qǐng)?zhí)枺?01010295654.3
　　3．胡曉君，一種高遷移率n型納米金剛石薄膜及制備方法，申請(qǐng)?zhí)枺?01210594869.4，申請(qǐng)日：2012年12月31日

　　*如果發(fā)現(xiàn)導(dǎo)師信息存在錯(cuò)誤或者偏差，歡迎隨時(shí)與我們聯(lián)系，以便進(jìn)行更新完善。

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